ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
Описание:
Обозначение: ГОСТ 19834.4-79
Статус: действующий
Название русское: Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
Название английское: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
Дата издания: 01.04.2000
Дата введения в действие: 30.06.1981
Переиздание: переиздание с изм. 1
Область и условия применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
Список изменений: №1 от (рег. ) «Срок действия продлен»
№2 от (рег. ) «Поправка»
Приложение №0: Изменение №1 к ГОСТ 19834.4-79
Приложение №1: Изменение №2 к ГОСТ 19834.4-79
Текст ГОСТ 19834.4-79
Приложения к ГОСТу
Изменение №1 к ГОСТ 19834.4-79
Обозначение: Изменение №1 к ГОСТ 19834.4-79
Дата введения в действие: 01.07.1984
Текст поправки интегрирован в текст или описание стандарта.
Изменение №2 к ГОСТ 19834.4-79
Обозначение: Изменение №2 к ГОСТ 19834.4-79
Дата введения в действие: 01.01.1987
Текст поправки интегрирован в текст или описание стандарта.
ГОСТы
Нормативные документы
