ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Описание:
Обозначение: ГОСТ 20859.1-89
Статус: действующий
Название русское: Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Название английское: Power semiconductor devices. General technical requirements
Дата издания: 07.07.1989
Дата введения в действие: 01.01.1990
Область и условия применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Взамен: ГОСТ 20859.1-79
Заменяющий в части: ГОСТ 30617-98 в части модулей
Текст ГОСТ 20859.1-89
ГОСТы
Нормативные документы
